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普冉半导体(上海)股份有限公司 关于新产品及技术研发进展的自愿性披露公告

公司采用电荷俘获的SONOS工艺结构40nm工艺节点下的NORFlash全系列产品研发完成并成为量产交付主力,晶圆良率达到95%以上,实现了对公司原有55nm工艺节点下的NORFlash产品的升级替代,产品竞争力及晶圆产出率有效提升。其中L系列64MbNORFlash产品完成海外手机头部厂商TWS蓝牙耳机认证。技术储备的40nm以下新一代工艺完成试流片,进入产品和工艺优化阶段。

本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏,并对其内容的真实性、准确性和完整性承担个别及连带责任。

为便于广大投资者了解公司新产品及技术研发进展情况,普冉半导体(上海)股份有限公司(以下简称“公司”)现将公司的新产品及技术研发进展情况披露如下:

一、新产品及技术研发进展情况

(一)存储器芯片方向全面展开:

1、公司采用电荷俘获的SONOS工艺结构40nm工艺节点下的NOR Flash全系列产品研发完成并成为量产交付主力,晶圆良率达到95%以上,实现了对公司原有55nm工艺节点下的NOR Flash产品的升级替代,产品竞争力及晶圆产出率有效提升。其中L系列64Mb NOR Flash产品完成海外手机头部厂商TWS蓝牙耳机认证。技术储备的40nm以下新一代工艺完成试流片,进入产品和工艺优化阶段。

2、公司采用浮栅ETOX工艺结构NOR Flash中大容量PY系列产品首颗开始量产出货,应用于可穿戴和安防等市场。

3、车载EEPROM产品完成了AEC-Q100标准的全面考核,首先在车身摄像头和车载中控应用上实现了海外客户的批量交付。

4、超大容量EEPROM系列开发完成,F系列产品支持SPI/I2C接口和最大4Mb容量,其中2Mb产品批量应用于高速宽带通信和数据中心领域。与代工厂战略合作开发的浮栅下一代技术进入测试芯片开发阶段。

5、新一代128Kb至512Kb摄像头模组EEPROM产品应用于海外手机头部厂商旗舰机型,已实现量产。支持下一代手机主控平台的1.2V摄像头模组EEPROM L系列的128Kb产品率先进入市场,完成平台认证,并小批量交付首个手机客户项目。

(二)“存储+”战略布局推进:

模拟产品方向上,内置非易失存储器的PE系列音圈马达驱动芯片产品进入大批量供货。支持下一代主控平台的1.2V PD系列音圈马达驱动芯片产品完成开发、流片和测试,性能指标均符合规范要求,产品进入客户送样阶段。

微控制器方向上,首颗32位微控制器芯片产品功能和性能测试通过,进入客户送样阶段。

二、新产品及技术研发对公司的影响

1、新产品可面向工控、车载等应用领域,丰富了公司产品线,有助于巩固和提升公司的核心竞争力,形成新的增长点,对公司未来的发展将产生积极的影响;

2、新产品的开发,使得公司有机会服务更多的头部客户,提升公司的市场地位,立足国内市场,参与全球市场竞争;

3、在40mn以下新一代工艺和浮栅下一代技术的创新技术储备,使公司在存储器芯片及延伸领域均具备持续竞争力。

三、相关风险提示

公司新产品,在向车载、工控等较高端市场,以及向各领域头部客户导入的所需时间较长,大批量销售尚需一定的周期和前期技术服务投入,存在不确定性,同时面临着未来市场推广与客户开拓不及预期的风险。敬请广大投资者注意投资风险,理性投资。

特此公告。

普冉半导体(上海)股份有限公司董事会

2022年03月21日

来源:中国证券报·中证网 作者:

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