契合产业发展规律,铸就功率半导体龙头
公司是A 股稀缺的具有高端产品和客户布局,专注于功率半导体的IDM(设计+制造+封测一体化)优质企业,2016 年中国半导体功率器件十强排名第2 位,长期以来坚持品牌经营和一体化布局,通过产品创新和渠道融合,已综合构建较高的市场拓展能力和盈利能力;未来在现有基础上将坚定内生+外延兼顾的发展战略,开启崭新发展时期。
① 巩固已有产品在消费电子和民用市场的优势,积极推进拓展轨道交通、电力电网、汽车电子(含新能源汽车)、以及军工领域,持续实现市场扩容和产品附加值提升。
② IDM 发展模式注重工艺积累,过去几年为功率半导体器件升级夯实基础,在保持大功率二级管整流桥优势的前提下,已对MOSFET进行了充分储备并取得突破,未来积极研发和布局IGBT 产品,相对传统业务开拓更大市场空间和更高产品附加值领域,更能满足客户多样化需求,符合国际大厂发展Si 基功率半导体的趋势。
③ 坚持内生+外延发展战略,前瞻把握并积极落地第三代功率半导体等新材料器件,近几年公司外延战略从产品到渠道,均取得积极且稳健的发展格局,2017 年1 月25 日联合建广资产(其完成恩智浦NXP 两部分资产收购,18 亿美元的RF Power 部门和27.5 亿美元的标准件业务)控股广盟半导体,即间接参股瑞能半导体获得高功率转换器件先进技术,并获得稳定的SiC 芯片供应渠道,在公司原有SiC 封装基础上实现一体化模式,有利于SiC 销售和推广。与建广资产的初步合作,或将给公司功率半导体业务带来做大做强的宝贵协同机会。在功率半导体细分行业竞争中,公司已有产业格局和融资平台优势逐步显现,预计未来内生和外延并重的战略,迎来持续快速发展机遇。
产线迭代+工艺积累, 募投项目实现产品升级: 整流二极管-MOSFET-IGBT 在结构和技术上有一定的继承性,公司先在传统优势整流二极管上积累经验,逐步推进至MOSFET 和IGBT,战略规划由4英寸、6 英寸过渡到8 英寸,稳扎稳打积累经验。从4 英寸-6 英寸-8 英寸产线的迭代,到二极管-MOSFET-IGBT 工艺的积累,都可以看到公司在战略层面思路清晰,技术路线规划明确。
投资建议:买入-A 投资评级,6 个月目标价28.9 元。我们预计公司2017 年-2019 年的收入增速分别为42.0%、35.0%、30.0%,净利润增速分别为56.1%、35.6%、30.6%,每股收益分别为0.67 元、0.90元、1.18 元。
风险提示:下游需求受宏观经济影响周期性波动,外延并购受政策影响等不达预期等
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